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Advanced Technical Information
HiPerFET TM Power MOSFETs
IXFR 80N15Q V DSS
= 150 V
I D25
ISOPLUS247 TM
(Electrically Isolated Backside)
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated, Low Q g ,High dv/dt
= 75 A
R DS(on) = 22.5 m W
t rr ￡ 200ns
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
ISOPLUS 247 TM
E153432
V DSS
V DGR
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M W
150
150
V
V
V GS
V GSM
Continuous
Transient
± 20
± 30
V
V
Isolated backside*
I D25
I DM
I AR
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, Note 1
T C = 25 ° C
75
320
80
A
A
A
G = Gate
S = Source
D = Drain
E AR
E AS
dv/dt
P D
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
I S ￡ I DM , di/dt ￡ 100 A/ m s, V DD ￡ V DSS
T J ￡ 150 ° C, R G = 2 W
T C = 25 ° C
45
1.5
5
310
mJ
J
V/ns
W
* Patent pending
Features
T J
T JM
T stg
-55 ... +150
150
-55 ... +150
° C
° C
° C
l
Silicon chip on Direct-Copper-Bond
substrate
- High power dissipation
- Isolated mounting surface
T L
1.6 mm (0.063 in.) from case for 10 s
300
° C
l
- 2500V electrical isolation
Low drain to tab capacitance(<30pF)
V ISOL
Weight
50/60 Hz, RMS
t = 1 min
2500
5
V~
g
l
l
Low R DS (on) HDMOS TM process
Rugged polysilicon gate cell structure
l
l
Rated for Unclamped Inductive Load
Switching (UIS)
Fast intrinsic Rectifier
l
l
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
Applications
DC-DC converters
Battery chargers
V DSS
V GS(th)
I GSS
V GS = 0 V, I D = 250 m A
V DS = V GS , I D = 4mA
V GS = ± 20 V DC , V DS = 0
150
2.0
V
4.0 V
± 100 nA
l
l
l
Switched-mode and resonant-mode
power supplies
DC choppers
AC motor control
l
I DSS
V DS = V DSS
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
25 m A
1 mA
Advantages
Easy assembly
R DS(on)
V GS = 10 V, I D = I T
Notes 2, 3
22.5 m W
l
l
Space savings
High power density
? 2000 IXYS All rights reserved
98750 (10/00)
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